致冷晶片是一種產生負熱阻的製冷技術,可在致冷晶片兩端維持一個溫差,當熱面溫度Th達到50℃時此溫差可超過75℃,當熱面的熱量不斷被移出時,熱量會從冷面持續被抽出。
一、致冷晶片原理 一塊N 型半導體和一塊P 型半導體材料聯成電偶對 在這個電路中接通直流電流後,就能發生能量的轉移, 電流由N 型元件流向P 型元件的接頭吸收熱量,成為冷 端 31 頁
1.半導體致冷原理:把一個N 型和P 型半導體的粒子用金屬連接片 焊接而成一個電偶對。 當直流電流從N 極流向P 極時,2.3 端上産生 吸熱現象,此端稱冷端而下面1.4 端産生放熱 9 頁
原理: 致冷晶片內部由多組的P型與N型碲化鉍系列熱電材料及導電銅電極串聯構成。 當電流由電極進入熱電材料, 或是由熱電材料進入電極時,由於帕帖爾效應(Peltier Effect)的 4 頁
熱電致冷晶片是一種主動式致冷技術,主要應用了半導體材料的Peltier效應。當直流電通過由兩種不同半導體材料串聯而成的電偶時,便會在電偶的兩端產生熱量的吸收和釋放。
熱電致冷晶片,又稱帕爾貼(TEC)素子或者熱電素子,是由微小而有效的熱泵組成的半導體器件。通過施加一個直流電,熱量從致冷晶片的一面轉移到另一面,從而產生一面變熱一面
此外,由於致冷晶片吸/放熱的位置在熱電材料與電極接合處,再透過基板傳到外部用,因此除了熱電材料本身特性外,提高晶片基板的熱傳導性也能夠增加致冷晶片